本申请公开了一种锗硅工艺中颗粒缺陷的检测方法，属于半导体制造技术，该方法包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上制作有带有侧墙的栅极结构；在所述栅极结构两侧的区域制作沟槽；在沟槽内生成锗硅外延层；通过薄膜淀积工艺生长间隙层，所述间隙层在所述锗硅外延层的上方；检测颗粒缺陷，所述颗粒缺陷由生成所述锗硅外延层的工艺造成；解决了在锗硅当站因机台检验极限的限制，极微小颗粒缺陷的检出率不高的问题；达到了提高颗粒缺陷的检出率，降低了检验失效率和成本损失的效果。