本发明公开了一种PMOS半导体器件，包括半导体基底及形成于基底表面的第一和第二外延层。第一外延层的掺杂结构设置为硼扩散阻挡层。第二外延层为非掺杂结构。栅极结构形成在第二外延层表面。在栅极结构两侧的第二外延层中形成有凹槽，在凹槽中填充有锗硅外延层。沟道区形成在锗硅外延层之间的第二外延层中。在锗硅外延层中具有硼掺杂，第一外延层位于凹槽的底部并从锗硅外延层的底部阻挡锗硅外延层的硼向底部扩散。P+掺杂的源区和漏区形成在栅极结构两侧的锗硅外延层中。本发明还公开一种PMOS半导体器件的制造方法。本发明能减少嵌入式锗硅外延层的硼扩散，提高器件的电学性能。