本发明属于集成电路制造领域，其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法，该方法主要包括两部分：通过对材料基底进行3‑氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理，实现含铅前体的有效附着，能够形成一层单分子层；通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料，多次循环得到最终的有机无机杂化卤素钙钛矿光电材料。本发明方法利用气相的原子层沉积方法，通过调控循环周期数进而得到所需厚度的薄膜材料，并且能够制备出大面积均匀的钙钛矿薄膜，从而拓展有机无机杂化卤素钙钛矿材料在太阳能电池、光探测器、激光器等光电领域的应用。