本发明公开了一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法，利用纳米级MOS器件引入的应变硅技术的工艺特点，在版图设计时适当调整PMOS器件源漏扩散区长度SA，最终增大沟道中的压应力，从而可以提高沟道中空穴迁移率，提高PMOS器件的常态性能，另一方面，还可以减小总剂量辐照引起的阈值电压漂移，从而减少总剂量辐照对纳米级MOS器件的影响，提高纳米级集成电路抗总剂量辐照性能。