本发明提供了一种放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板以及封盖；封装基板设有至少两层介质层，且位于顶层的介质层上设有凹槽，封装基板上设有顶部金属层、中间金属层和底部金属层，封盖设置于封装基板上。本发明提供的放大器芯片封装结构，实现了多层布线，将芯片设置于凹槽内，有效的缩短了芯片与封装基板的顶部金属层之间的连接长度，提高了二者之间的传输能力，降低了射频传输的损耗，带有内腔的封盖使芯片的上方有一层低介电损耗的空气层，避免了传统封装芯片需要直接接触塑封料造成的介电损耗，有效的降低了封装结构造成的毫米波波段的性能损耗。