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专利名称金属引线、半导体器件及其制作方法
申请日2019-11-11
申请号/专利号CN201911095493.0
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人曾甜;胡杏
公告日2020-02-21
公告号CN110828372A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种金属引线、半导体器件及其制作方法,首先同时形成第一凹槽与布线层凹槽,接着形成第二凹槽,所述第二凹槽与所述第一凹槽连通,之后填充导电材料在第一凹槽、第二凹槽的过程中同时填充布线层凹槽,在形成导电结构的同时形成布线层,不需要再额外开孔将导电结构引出,也不需要在沉积铝层之后再刻蚀形成布线层,节省了两张掩膜板,节约了生产成本。
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