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专利名称一种芯片结构、圆晶结构及其制造方法
申请日2019-11-11
申请号/专利号CN201911095178.8
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人盛备备;胡胜;李漾
公告日2020-01-31
公告号CN110739396A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种芯片结构、圆晶结构及其制造方法,在第一芯片上形成第一金属键和层和第二金属键和层,在第二芯片上形成第三金属键和层和第四金属键和层,两个芯片通过金属键合层键合在一起,两片芯片键合时,第一芯片的第一金属键和层和第二芯片的第四金属键和层键合构成第一电容极板,第一芯片的第二金属键和层和第二芯片的第三金属键和层键合构成第二电容极板,第一电容极板、第二电容极板以及器件的介质材料构成电容结构,占用较小的芯片面积,有效利用芯片的面积,提高了产品的良率。
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