本发明提供了一种闪存器件及其制作方法，在浮栅材料层上形成氧化层，平坦化所述氧化层与所述浮栅材料层之后，所述存储区内剩余的浮栅材料层形成浮栅且外围区保留有部分厚度的所述浮栅材料层，以所述浮栅和所述外围区保留的部分厚度的浮栅材料层为掩膜刻蚀所述浮栅之间的隔离结构，能够节省图形化工艺，避免了由于光刻胶图形化造成的缺陷，并且降低了生产成本，同时提高了浮栅的均一性。