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专利名称双侧存储阵列
申请日2019-11-06
申请号/专利号CN201911076929.1
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人唐原;徐仁泰
公告日2020-02-21
公告号CN110827900A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种双侧存储阵列,所述双侧存储阵列包含位于中央的闪存单元阵列,且闪存单元阵列的两个相对侧的每一侧上均连接四个本地X解码器。每一个所述本地X解码器包括八个晶体管。相比现有的本地X解码器,仅仅增加了额外的三个晶体管,就可以避免存储单元在擦除操作过程中被选中的问题,且电路简单,易于实现,而且将八个本地X解码器分布在位于中央的闪存单元阵列的两个相对侧上,使其可以适应现有技术中的八条字线的间距,因此不会显著增加电路占用面积。
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