本申请涉及一种集成功率器件及其制作方法，属于半导体技术领域。该器件包括：第一类型衬底，间隔设置于第一类型衬底上的主功率器件和至少一个从功率器件，在每个从功率器件的外围区域的衬底上设置的第二类型掺杂环。该第二类型掺杂环使得外围区域形成交错排布的P型环和N型环，第一类型为N型、第二类型为P型，或，第一类型为P型、第二类型为N型。在每个从功率器件的外围区域的衬底上设置第二类型掺杂环，使得外围区域形成交错排布的P型环和N型环，从而在从功率器件的外围形成一个或多个PN结结构，实现从功率器件与从功率器件/主功率器件之间的隔离。