本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种自适应离子强度的磁控溅射台，包括机体、溅射腔室、屏蔽罩、旋转电极、基板、溅射靶材、底板，所述底板的两侧均固定连接有滑动块，所述滑动块的数量为两个，两个所述滑动块之间固定连接有支撑杆，所述支撑杆的底部固定连接有定位杆，所述定位杆的末端固定连接有磁块，所述磁块的底部固定连接有支撑杆。通过滑动块与支撑杆之间的配合使用，使得底板由固定安装优化为滑动安装，使得基片可以移动不同的间距，同时通过磁力相吸的原理，使得基片在溅射过程中，可以根据溅射的功率自动移动较佳的位置，当功率较大时，磁力释放大吸引力大，使得基片自动向下放移动拉开与溅射靶材之间的间距。