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专利名称MEMS结构及其加工方法、热释电传感器、红外探测器
申请日2019-11-06
申请号/专利号CN201911077287.7
专利权人汝州市裕丰电子有限公司
申请人汝州市裕丰电子有限公司
发明人/设计人石少伟;武军伟;梁自克
公告日2020-02-21
公告号CN110823386A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种MEMS结构及其加工方法、热释电传感器、红外探测器,属于MEMS技术及红外探测技术领域。该MEMS结构包括设有读出集成电路的基底,以及包括:悬浮在基底一侧的热敏感层,所述的热敏感层为镧钛酸铅铁电薄膜;用于支撑所述热敏感层的支撑结构,所述支撑结构通过若干组锚柱与所述基底相连,所述支撑结构与所述基底之间形成光学谐振腔;所述的支撑结构依次包括第一碳化硅层、电极层以及第二碳化硅层;所述的电极层为钛膜和/氮化钛膜。本发明通过采用镧钛酸铅铁电薄膜作为热敏感层,以及使热敏感层通过支撑结构悬浮在基底一侧,可以提高MEMS结构的光学吸收特性以及降低MEMS结构的噪声等效温差。
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