本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法，在需要进行晶背减薄的第一半导体中，设置隔离结构，所述隔离结构为第三绝缘层，隔离结构至少位于第一导电层和第二导电层的上方，且其中一个表面与第一半导体的第一衬底朝向第一绝缘层的表面齐平，也即通过深沟槽隔离先将TSV通孔需要刻蚀的区域填充第三绝缘层，采用深沟槽隔离代替浅沟槽隔离，在增强了器件之间的隔离作用基础上，一方面，可以省略高介电常数层的使用，避免高介电常数层带来的较大应力，产生的缺陷，从而简化硅通孔技术工艺；另一方面，能够直接在深沟槽隔离结构的内部制作硅通孔，能够省略了多个工艺步骤，使得硅通孔技术工艺过程更加简单。