本发明属于集成式开关及其加工方法，具体涉及一种集成式接近开关、接近开关系统及接近开关制造方法，解决了现有技术中霍尔接近开关无法实现全自动化标准生产和体积大的技术问题。其中，集成式接近开关包括霍尔集成电路，以及设置于霍尔集成电路背面的磁性薄膜层，霍尔集成电路和磁性薄膜层之间设有绝缘层，所述磁性薄膜层的N极在上S极在下或S极在上N极在下；霍尔集成电路、绝缘层和磁性薄膜层封装于一体；或将磁性薄膜层替换为磁铁。上述集成式接近开关的加工方法采用溅射或粘贴的方式将磁性薄膜层或磁铁集成于霍尔集成电路上。该集成式接近开关还可以用于集成式接近开关系统，将磁性物体与集成式接近开关相对布置。