本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：提供产品晶圆，测量光刻胶涂布之前的曝光面内的第一表面高度分布；涂布光刻胶，测量曝光面内的第二表面高度分布；将曝光面分成n个曝光子区域并计算各曝光子区域中光刻胶的第三厚度值；提供n片测试晶圆并涂布对应的第三厚度的光刻胶；对各测试晶圆进行曝光；测量各测试曝光图形的线宽得到对应的基准图形线宽并计算各曝光子区域的曝光图形线宽差异；将各曝光图形线宽差异转换为产品掩模板上的设计图形线宽差异；制作产品掩模板，加入设计图形线宽差异进行线宽补正；对产品晶圆涂布光刻胶、曝光和显影。本发明能减少或消除由于晶圆曝光面内表面形貌不平整产生的曝光图形线宽差异，提高产品线宽均匀性。