本申请实施例提供一种化合物半导体器件和化合物半导体器件的背面铜制程方法，该化合物半导体器件包括衬底，该衬底上开设有贯穿其两侧的背面通孔，背面通孔与衬底上的接地金属层对应。在衬底远离接地金属层的一侧以及背面通孔的孔壁制作形成有黏合层，在黏合层远离衬底一侧制作形成有种子层，在种子层远离黏合层的一侧电镀形成有Au层，并且，在Au层的远离种子层的一侧电镀形成有电镀铜层，该电镀铜层的厚度为0.2um‑5um。如此，利用铜的高导热性，能够实现对器件的有效散热，并且电镀铜层的厚度较薄，产生的应力较小，即使下方的衬底的厚度较薄，也不易引起衬底的翘曲。