本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、计算光刻工艺中曝光的最佳焦距和聚焦深度；步骤二、在第一晶圆上涂布第一光刻胶，第一光刻胶的厚度大于聚焦深度；步骤三、从第一光刻胶的底部开始进行多次曝光，最后一次曝光之前的各次曝光分别处理第一光刻胶中的厚度为DOF的一子层且各子层从第一光刻胶的底部到顶部依次叠加，各子层的叠加厚度小于第一光刻胶的厚度且在第一光刻胶的顶部形成剩余的最顶子层，最顶子层的厚度小于等于DOF，最后一次曝光实现对最顶子层的处理；步骤四、对第一光刻胶进行显影。本发明能增加厚光刻胶制程的聚焦深度，提高分辨率和工艺窗口。