本发明公开了一种半导体刻蚀设备预防保养方法，半导体刻蚀设备包括刻蚀工艺腔体以及和所述刻蚀工艺腔体相连接的进气管路；包括步骤：步骤一、对处于真空状态的所述刻蚀工艺腔体进行破真空并打开，并对刻蚀工艺腔体内部进行清洗；步骤二、将进气管路从刻蚀工艺腔体中拆下；步骤三、采用气体吹扫方法对进气管路进行清洗，以防止所述进气管路中的残留的刻蚀气体在大气状态下对所述进气管路的内壁涂层产生腐蚀，并消除内壁涂层腐蚀产生的颗粒污染。本发明还公开了一种半导体刻蚀设备预防保养工具。本发明能防止由预防保养本身所带来的污染问题，从而能提高产品良率。