本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除突起结构；在铜籽晶上形成铜层，该铜层填充凹槽；对凹槽外剩余的扩散阻挡层和铜层进行去除处理。本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除浸润层在凹槽开口处形成的突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充，在一定程度上提高了器件制造的良率。