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专利名称反溅射率的测量方法
申请日2019-10-31
申请号/专利号CN201911052501.3
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人羌宇星;黄颖;杨奕
公告日2020-02-07
公告号CN110767565A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请公开了一种反溅射率的测量方法,包括:在晶圆上通过溅射工艺形成第一薄膜层;在第一薄膜层上,同时通过溅射工艺和反溅射工艺形成第二薄膜层,第一薄膜层和第二薄膜层包括相同的材料;通过第一薄膜层和第二薄膜层的厚度差值,以及形成第二薄膜层的时间计算得到反溅射率。本申请通过在晶圆上溅射沉积第一薄膜层,在第一薄膜层上通过溅射和反溅射工艺形成第二薄膜层,通过第一薄膜层和第二薄膜层的厚度,形成第二薄膜层的时间计算得到反溅射率,由于第一薄膜层和第二薄膜层都是在同一晶圆上形成,因此在测量过程中只需使用一片晶圆即可测量得到反溅射率,提高了晶圆的使用率的同时减少了测量的时间,提高了测量效率。
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