本申请实施例提供一种半导体器件和半导体器件的制作方法，该半导体器件包括一衬底，该衬底的一侧制作形成有接地盘金属层，该衬底对应接地盘金属层的位置处开设有贯穿衬底以暴露出接地盘金属层的通孔。在衬底远离接地盘金属层的一侧以及通孔的孔壁形成有背面金属层，其中，背面金属层包括掺杂有钻石颗粒和铜的复合镀层。由于钻石颗粒和铜构成的复合镀层具有高热传导特性，能有效将器件内部热能传导至封装体散热板上，有效降低器件的热阻与器件表面温度，稳定器件性能。