本发明提供了一种半导体器件的制作方法、超结器件及其制作方法。在半导体器件的制作方法中，在衬底上仅需形成一层硬掩膜层，通过先在硬掩膜层上开出不同深度的开口，以所述硬掩膜层作为掩膜可以预先刻蚀出较深的第一沟槽，在刻蚀形成第三沟槽时不需要再做第二层硬掩膜层和/或光刻胶，预先刻蚀的第一沟槽的深度不再受现有技术中后续还需再做第二层硬掩膜层和/或光刻胶时填充困难的工艺限制，第二沟槽的深度与第三沟槽的深度之差(即第一沟槽的深度)有较大范围。在超结器件及其制作方法中，终端区沟槽的深度与元胞区沟槽的深度之差(即第一预设深度)有较大范围，对终端区的耐压大大改善，从而提高超结器件整体耐压能力和可靠性。