本发明提供了一种改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法，所述改善尖端放电缺陷的方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构具有器件区和包围所述器件区的边缘区；形成图案化的光刻胶层于所述晶圆结构上，所述图案化的光刻胶层暴露出部分的所述器件区且至少覆盖所述边缘区向外凸出的边棱；以及，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆结构进行刻蚀。本发明的技术方案使得晶圆结构的边缘区上的尖端放电缺陷得到改善，避免导致晶圆结构的器件区的损伤，从而使得产品良率得到提高。