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专利名称一种集成电路用高纯氧化铜粉的生产工艺
申请日2019-10-26
申请号/专利号CN201911026369.9
专利权人韩亚半导体材料(贵溪)有限公司
申请人韩亚半导体材料(贵溪)有限公司
发明人/设计人徐一特
公告日2020-01-17
公告号CN110697756A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种集成电路用高纯氧化铜粉的生产工艺,包括以下步骤:(1)、收集带表皮的铜线;(2)、将铜线剥皮得到铜丝;(3)、将铜丝放入压制机进行压制形成铜块;(4)、将压制形成的铜块放入切段机进行切断,使铜块分成多块小段的铜段;(5)、将铜段采用电解法制备待氧化铜粉;(6)、将待氧化铜粉输送到铜粉氧化装置进行氧化得到氧化铜粉;其中采用电解法制备铜粉的步骤还包括:a、制备硫酸铜;b、将铜段作为阴极板、Pb‑Sn‑Ca合金作为阳极板插入电解槽内通电电解;c、将作为阴极的铜段表面刮下铜粉,进行铜粉收集;d、将铜粉进行洗涤、皂化、脱水;e、将铜粉烘干、还原;f、过筛得到待氧化铜粉。
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