本发明涉及集成电路掩模设计领域，尤其涉及保证掩模图像与通孔图像充分接触的掩模优化方法及电子设备。包括如下步骤：提供包括掩模图形和通孔的掩模版图，通孔对应成像为通孔图像，模拟与所述通孔图像对应的轮廓线模拟与通孔图像对应的轮廓线；得到通孔图像的虚拟轮廓线；在虚拟轮廓在线放置多个评价点；将评价点与掩模图形的小线段进行关联以获得关联小线段以及关联评价点；及根据关联评价点计算关联小线段的偏移修正值Δc以及根据光学临近效应获得关于每个关联小线段的偏移修正值Δe，选取Δc和Δe中数值较大者作为关联小线段的最终修正值，能很好的保证优化的效果，避免与通孔相联系的上下掩模层之间的导电性不充分甚至失联的风险。