本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底；刻蚀第一介质层和阻挡层暴露出第一金属层，以形成开关孔；刻蚀清理所述开关孔，同时开关孔暴露出的第一金属层被侧向刻蚀；形成绝缘层，所述绝缘层至少覆盖开关孔表面和填充第一金属层被侧向刻蚀的区域；第一金属层被侧向刻蚀的区域由绝缘层填充，避免形成间隙，提高了开关孔中的接触电阻的稳定性以及可靠性。开关孔的侧壁的绝缘层隔开了开关孔底部周圈的第一金属层避免其受损伤，且所述绝缘层覆盖所述开关孔的侧壁，使开关孔的平整度高，从而提高在开关孔中薄膜沉积以及金属层填充开关孔的均匀性，使热膨胀和应力均匀。