本发明涉及嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图，涉及半导体集成电路工艺，通过改进锗硅生长区域版图，将相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域定义为不透光的特定区域，使得经光刻刻蚀后形成的临近STI的沟槽呈完整的对称的sigma型，最终有源区上外延生长出的锗硅均是对称的有包边的锗硅，临近STI的锗硅靠近有源区的栅极侧的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离小于有源区内相邻两栅极之间的锗硅的拐角顶点与器件沟道之间竖直方向的距离，使得临近STI的器件沟道压应力提高促使漏电流大大增加，进而使得同一个有源区上的器件之间的漏电流偏差变小，而减少驱动能力出现失配的问题，大大提高产品良率。