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专利名称晶圆键合方法及装置
申请日2019-10-24
申请号/专利号CN201911019699.5
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人张银
公告日2020-01-10
公告号CN110676159A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种晶圆键合方法及装置,包括将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆;对所述键合晶圆进行空洞缺陷扫描,并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求;空洞缺陷符合控制要求的键合晶圆进行退火处理,而空洞缺陷不符合控制要求的键合晶圆则进行返工,从而可以拦截出存在报废风险的键合晶圆,有效的降低了键合晶圆的报废率,并且返工后的两个晶圆可以再次进行键合,不会直接报废,从而降低了制造成本。
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