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专利名称一种高纯锗探测器和高纯锗探测器测试系统
申请日2019-10-24
申请号/专利号CN201911017708.7
专利权人清华大学
申请人清华大学
发明人/设计人田阳;李玉兰;唐维优;邓智;岳骞
公告日2020-01-24
公告号CN110727018A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请公开了一种高纯锗探测器和高纯锗探测器测试系统,本申请的基于ASIC前置放大器的高纯锗探测器,通过低温液体裸浸直接制冷的运行方式,在保证能量分辨率的同时有效地降低了探测器自身本底;本申请的高纯锗探测器测试系统,通过手套箱创造出的低水氧含量测试环境,实现了基于ASIC前置放大器的高纯锗探测器的低温液体裸浸直接制冷的运行方式,并可重复操作。
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