本发明提供了一种研磨方法，包括：提供一半导体器件，包括衬底、绝缘层、沟槽、阻挡层和导电层；采用第一研磨剂研磨所述导电层直至露出所述阻挡层，位于所述沟槽中的所述导电层的表面相对于所述绝缘层的表面更靠近所述衬底；采用对所述绝缘层/导电层高选择比的第二研磨剂研磨所述阻挡层和所述绝缘层；采用第三研磨剂研磨所述绝缘层和所述导电层，使位于所述沟槽中的所述导电层的表面与所述绝缘层的表面的高度差小于等于所述半导体器件用于键合时允许的不平整度的最大值。通过引入对所述绝缘层/导电层高选择比的第二研磨剂进行粗研磨调整，以及第三研磨剂精细研磨调整，使所述半导体器件达到键合平整度要求。