本申请涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，在基底上开设沟槽，沟槽具有底槽以及自底槽顶部向上延伸以增大开口的顶槽，底槽具有第一侧壁，顶槽具有第二侧壁，第一侧壁的延伸方向与半导体基底上表面之间的夹角大于第二侧壁的延伸方向与半导体基底上表面之间的夹角；在沟槽内壁形成栅介质层；在沟槽内填入栅导电层。通过将沟槽设计为漏斗状，可以避免对沟槽进行填充时出现空洞和细缝。