本发明公开一种集成电路加工工艺，包括以下步骤：S001：在硅片上按照设计图形进行多次离子注入，根据设计在硅片中形成NPN管基区、PNP管集电区/发射区和基极电阻区，以及NPN管集电区/PNP管基区和电容下极板；S002：根据设计在硅片上预设区域铺设绝缘层和金属布线层，并预留后续封装时的测试及键合区域；S003：对集成电路进行热处理，使集成电路中的基极电阻的结构稳定化；S004：对集成电路进行芯片调试，对通过调试的集成电路进行封装。本发明的集成电路加工工艺可保证集成电路的对挡率分布不会分散，使产品合格率得到显著提高。