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专利名称一种新型的半导体器件的终端结构及其制备方法
申请日2019-10-21
申请号/专利号CN201910999623.7
专利权人厦门芯一代集成电路有限公司
申请人厦门芯一代集成电路有限公司
发明人/设计人陈译;陈利;陈彬;陈剑
公告日2020-01-10
公告号CN110676309A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供一种新型的半导体器件的终端结构及其制备方法,包括n‑衬底、P型扩散层、p+型表面扩散层、n+型表面扩散层、p+层、栅极氧化层、源极电极、栅极电极、漏极电极和窄宽沟道;所述栅极氧化层横跨在P型扩散层和窄宽沟道之间,上表面引出栅极电极;所述窄宽沟道用二氧化硅进行填充,并设置多列,相邻的窄宽沟道间由n‑衬底表面上形成的p+层进行连接;所述位于n‑衬底上表面另一侧的n+型表面扩散层表面引出漏极电极。本发明通过设置p+层(表面导电层),用窄宽沟道型的终端结构来有效地减少芯片的终端面积,使最大电场强度降低,提高耐压。
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