一种双向ESD保护器件，由N+衬底层101、P型外延层102和N+掺杂层103组成的芯片；所述N+衬底层101上方设P型外延层102，P型外延层102上方设N+掺杂层103；深隔离槽104位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽104内设有掺杂的多晶浮岛108，隔离介质层105介于深隔离槽104与正面电极106之间，正面电极106位于N+掺杂层103和隔离介质层105上方，背面电极107形成于N+衬底层101之下。本发明针对普通电容、大电流泄放能力应用的ESD保护，采用槽栅隔离的纵向三极管结构，解决了集成电路静电释放问题。