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专利名称一种高压的稳压电路
申请日2019-10-21
申请号/专利号CN201911000902.4
专利权人无锡思泰迪半导体有限公司
申请人无锡思泰迪半导体有限公司
发明人/设计人张南阳;马辉;蒋赛尖
公告日2020-01-07
公告号CN110658881A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明属于模拟集成电路技术领域,具体为一种高压的稳压电路,其能够使chargepump电路输出电压稳定在一定范围内,不会对器件造成损伤,电阻R0一端连接第三PMOS管PM3的源端、第二PMOS管PM2的源端、第四PMOS管PM4的源端,第三PMOS管PM3的栅端和漏端相连后连接第五NMOS管NM5的漏端和第四PMOS管PM4的栅端,电阻R0另一端连接第四PMOS管PM4的漏端、电阻R1一端、第二PMOS管PM2的栅端,电阻R1另一端接地,第二PMOS管PM2的漏端连接稳压二极管Z0的阴极和反向器I0的电源端,稳压二极管Z0的阳极连接第四NMOS管NM4的栅端和漏端、第五NMOS管NM5的栅端,第四NMOS管NM4的源端、第五NMOS管NM5的源端、反相器I0的接地端均接地,反相器I0的输入端输入时钟信号,反相器I0的输出端输出电压信号的高电平为VCC。
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