本发明公开了倒梯形或T型结构的工艺质量评估方法及系统，设计与目标图层对标的前层衍射套刻结构和目标图层的衍射套刻结构，目标图层的衍射套刻结构沿平行前层衍射套刻结构方向偏移相同的套刻偏移量；光刻和刻蚀获取目标需要的倒梯形结构或T型结构；进行基于衍射的套刻标记测量，记录在前述套刻偏移量下的正负一级衍射光强差，计算光强差与套刻偏移量之间的斜率；计算待测结构尺寸变化与光强差之间的规律，计算得到由于工艺所导致的倒梯形或T型结构的宽度偏差。本发明能够有效避免切片等测量方法对微纳结构的损伤，弥补俯视电子束成像测量方法无法准确呈现底部特征的缺陷，提升了现有系统的整体测量性能，并且在成本和良率控制上得到了提升。