本发明公开了一种NMOS管，包括：形成于栅极结构的两侧的P阱中的凹槽；在凹槽中填充有嵌入式外延层，嵌入式外延层包括至少一层梯度式硅磷砷外延层；最底层梯度式硅磷砷外延层和凹槽的底部表面和侧面接触；从凹槽的底部表面往上以及从侧面往内的方向上，梯度式硅磷砷外延层的磷掺杂浓度逐渐增加以及砷掺杂浓度逐渐降低，梯度式硅磷砷外延层中的磷和砷的掺杂浓度的梯度变化形成降低磷向外扩散的结构。本发明还公开了一种NMOS管的制造方法。本发明能有效降低嵌入式外延层的磷外扩，提高嵌入式外延层的张应力，提高器件的性能。