本发明公开了一种鳍式晶体管的多晶硅栅截断的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上的多晶硅栅形成区域形成鳍体以及鳍体之间的第一凹槽；在无多晶硅栅区域不包括鳍体且形成有第二凹槽；步骤二、填充第一绝缘层；步骤三、采用定义多晶硅栅截断区域的第一光罩相反的第二光罩进行定义，在第二凹槽中第一绝缘层的顶部形成第一掩膜层；步骤四、进行所述第一绝缘层的回刻以定义鳍体的高度；在第二凹槽中，在第一掩膜层覆盖区域两侧形成有第三凹槽，由第三凹槽之间的第一绝缘层组成多晶硅刻蚀阻障层；步骤五、形成多晶硅栅；步骤六、采用第一光罩打开多晶硅栅截断区域之后进行多晶硅刻蚀实现多晶硅栅的截断。本发明能增加工艺窗口，提高产品良率。