本发明涉及LDMOS器件及其制作方法及调节其电性参数的方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在LDMOS的制作过程中，在第一阱区引入第三掺杂类型区，控制第三掺杂类型区与第一阱区和第二阱区之间的边界面的距离d的值，以调节LDMOS的电性参数，且该第三掺杂类型区的形成工艺与CMOS器件的阈值电压调节注入工艺兼容同步完成，并LDMOS的其它制作工艺与CMOS器件工艺兼容，因此在不增加光罩及额外离子注入过程，并不改变CMOS工艺的情况下满足了LDMOS对不同电性参数的需求，且不影响CMOS的电性参数，如此可增加半导体集成电路制造的灵活性，提高半导体集成电路器件参数的精度，降低制造成本。