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专利名称一种基于SRAM的并行乘加装置
申请日2019-10-17
申请号/专利号CN201910988343.6
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人胡绍刚;邓阳杰;乔冠超;刘洋;于奇
公告日2020-02-04
公告号CN110750232A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种基于SRAM的并行乘加装置。本发明的方装置包括控制器、移位寄存器、SRAM存内计算模块和放大输出模块;所述控制器用于对移位寄存器和SRAM存内计算模块进行逻辑控制;所述移位寄存器具有移位功能,并用于接收第一操作数,移位寄存器输出第一操作数到SRAM存内计算模块;所述SRAM存内计算模块接收移位寄存器输入的第一操作数和外部输入的第二操作数,在控制器控制下对第一操作数和第二操作数进行并行乘法加运算,SRAM存内计算模块的输出接放大输出模块的输入;放大输出模块将SRAM存内计算模块的计算结果进行信号放大并做幅度调整后输出。本发明的极大地提高了并行乘加运算速度、节约了运算操作数的存储空间。
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