本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的截断工艺方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，形成第一光刻胶图形以定义出鳍式场效应晶体管的截断区域；步骤二、对半导体衬底表面的第二非晶半导体层进行刻蚀形成第二非晶半导体图形；步骤三、形成第一介质层且由第一介质层之间的间距并形成第一凹槽；步骤四、形成第二介质层将第一凹槽完全填充；步骤五、采用以第二非晶半导体层为停止层的化学机械研磨工艺进行平坦化形成第一介质层组成的侧墙和第二介质层条形；步骤六、自对准去除各侧墙；步骤七、采用湿法工艺将非晶半导体条形去除；步骤八、以各第二介质层条形为掩膜进行刻蚀形成鳍体并同时实现晶体管截断。本发明能增加工艺窗口，降低工艺成本。