本发明涉及接触孔形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过多次试验获得光刻后接触孔形貌关键尺寸变化ΔD1与刻蚀后接触孔关键尺寸变化ΔD2的关系式及层间介质层厚度HILD与刻蚀后接触孔关键尺寸D2的关系式，进而获得光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与层间介质层厚度HILD的关系，再根据光刻机光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与曝光强度的关系，得到曝光强度与层间介质层厚度HILD之间的补偿关系，进而对晶圆上一曝光单元的曝光强度进行补偿，也即对不同的层间介质层厚度区域曝不同光刻后接触孔形貌关键尺寸D1的接触孔，最终使得该曝光单元内刻蚀后形成的接触孔的关键尺寸接近接触孔的目标关键尺寸。