本发明公开了一种碳纳米管器件源漏区接触金属全局(一次性)制造方法。该方法通过在假栅结构上沉积层间介质层并进行平坦化，消除假栅顶部两侧较倾斜的侧墙部分，然后去除沟槽结构中的假栅电极，并依次沉积栅介质、金属栅和引线金属层，进行平坦化处理，进一步消除栅极顶部两侧较倾斜的侧墙部分，形成仅具有垂直侧壁表面的侧墙。然后定义源漏金属图形，沉积源漏接触金属层，选择性地去除侧墙表面残余的金属层，接着依次沉积刻蚀停止层和第二层间介质层，进行平坦化，形成源漏接触孔和栅极引线金属层接触孔，在接触孔中填充金属。本方法能够消除栅极顶部两侧较倾斜的侧墙形貌对源漏金属沉积带来的影响，显著减少了侧墙表面上源漏金属的沉积厚度。