本发明公开了一种三维堆叠方法，包括：在裸硅片中形成氢离子注入层；在裸硅片的正面表面上淀积第一键合层；将裸硅片的第一键合层与一具有穿孔的载体片正面表面上的第二键合层进行键合；对裸硅片进行高温裂片；对裂片界面进行处理；在裂片界面上进行需要的工艺；将工艺后的裸硅片与一器件硅片进行键合；利用湿法药液进行载体片去键合；形成两枚器件硅片的堆叠结构。本发明将smart‑cut裂片技术融入到器件硅片的三维堆叠中，大大提高了硅片的资源利用率，节省了生产成本，同时规避了颗粒沾污、金属沾污、硅片裂片等研磨带来的问题，提高了工艺的稳定性，并提高了生产的效率及良率。