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专利名称一种惯性传感器及其制备方法
申请日2019-10-15
申请号/专利号CN201910976420.6
专利权人上海集成电路研发中心有限公司
申请人上海集成电路研发中心有限公司
发明人/设计人康晓旭
公告日2020-02-21
公告号CN110823259A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开的一种惯性传感器,包括腔室、外围电路、加热电极、感应电极和导电质量体;所述加热电极、感应电极和导电质量体的两端分别固定在所述腔室中相对的侧壁上,所述加热电极的底部固定在腔室底部,两个感应电极对称位于所述加热电极的两侧;所述两个导电质量体分别位于所述两个感应电极的下方,所述加热电极和两侧的导电质量体分别构成叉指电极结构,所述质量体在惯性作用下朝着远离加热电极或者靠近加热电极的方向移动;所述加热电极、感应电极和导电质量体连接至外围电路中。本发明提供的一种惯性传感器,利用表面硅工艺形成小尺寸结构的特性,增大了加热电极和导电质量体之间的电容,提升了产品性能。
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