本发明公开一种制作SMIM电容结构的方法及电容结构，其中方法包括：在具有第一层电极、第一介质层、第二层电极和第二介质层的晶圆上涂布光阻；使用具有不同透光程度的光罩进行曝光显影，半遮光膜对应介质接触槽处，所遮光膜或者全透光对应金属接触槽处；以光阻为掩膜蚀刻介质层可以同时得到金属接触槽和介质接触槽；在金属接触槽和介质接触槽的位置沉积金属；本发明省去传统工艺中的多道工艺，简化制作SMIM电容的工艺流程，缩短了生产周期，提高生产效率。