本发明提供一种提高薄膜沉积均匀性的方法，属于半导体制造技术领域，方法包括：据需要沉积的薄膜厚度预先设定一温度上限值和一温度下限值，控制沉积温度于温度上限值和温度下限值之间以预设的温度变化速率做周期性变化；上述技术方案有益效果是：使得半导体基板的边缘位置与中心位置薄膜沉积的平均速度趋近于相等，达到提高薄膜沉积厚度的均匀性的效果，提升半导体基板的良率。