本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种碳化硅CMOS结构，其中PMOS晶体管主要包括一N型+衬底，其上方依次为一P+型隔离层，一P型隔离层，一N+型体接触层，一N型体区域。在N型体区域上方两侧分别有一P+型源区，一P+型漏区；一栅介质，位于N型体区域上方中央位置，一栅电极位于栅介质之上。一体电极位于N+型体接触区之上，一源电极位于P+型源区之上，一漏电极位于P+型漏区之上。NMOS晶体管的主要包括一N+型衬底，其上方依次为一P+型体接触区域，一P型体区域。在P型体区域上方两侧分别有一N+型源区，一N+型漏区。一栅介质，位于P型体区域上方中央位置，一栅电极位于栅介质之上。本发明还提供了该碳化硅CMOS结构制备的工艺方法。