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专利名称焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法
申请日2019-10-11
申请号/专利号CN201910965053.X
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人王春林;邹文;胡胜
公告日2020-01-14
公告号CN110690121A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法,所述焊盘的保护方法包括:提供一具有焊盘的晶圆;形成保护层至少覆盖于所述焊盘的表面上,以在需要将所述焊盘向外引出之前保护所述焊盘,所述保护层的材质为能被预设溶剂溶解的可溶性材料;以及,在需要将所述焊盘向外引出时,采用所述预设溶剂去除所述保护层,以重新暴露出所述焊盘。本发明的技术方案避免所述焊盘上产生杂质缺陷,进而避免导致在将所述焊盘向外引出时的焊接不良,从而避免导致封装产品的不良。
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