本发明公开了一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在逐层外延生长的N+型砷化镓、I型砷化镓和P+型砷化镓的衬底上制作P型欧姆接触金属、P型台面、N型欧姆接触金属和N型台面；沉积第一氮化物层并蚀刻出通孔；制作P型连接金属、N型连接金属和下极板；沉积第二氮化物层并蚀刻出通孔，覆盖下极板的第二氮化物层作为介电层；制作聚酰亚胺层并蚀刻出通孔作为空气桥结构的桥墩；在介电层和P型连接金属的位置制作空气桥结构。本发明采用聚酰亚胺层对二极管器件进行保护，聚酰亚胺层的存在加大了器件间的隔离度，增大电容结构的击穿电压，降低了器件的高低差，使后续的空气桥制程变得稳定。